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NTR1P02T1 Image

ON Semiconductor NTR1P02T1

Numéro de pièce MFG
NTR1P02T1
quantité disponible
36070 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
- MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
NTR1P02T1.pdf
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NTR1P02T1 Caractéristiques

Référence fabricant NTR1P02T1
Numéro de pièce future FT-NTR1P02T1
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
NTR1P02T1 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 1A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 5V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 165pF @ 5V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 400mW (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur SOT-23-3 (TO-236)
Paquet / caisse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTR1P02T1 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange NTR1P02T1-FT

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