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ON Semiconductor MVSF2N02ELT1G

Name: MVSF2N02ELT1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: MVSF2N02ELT1G
Price: 0.184688 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (312 reviews)

Numéro de pièce MFG: MVSF2N02ELT1G

quantité disponible: 61440 Pièces

Prix de référence: USD 0.184688

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: - MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: MVSF2N02ELT1G.pdf

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MVSF2N02ELT1G Caractéristiques

Référence fabricant	MVSF2N02ELT1G
Numéro de pièce future	FT-MVSF2N02ELT1G
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
MVSF2N02ELT1G Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Not For New Designs
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	2.8A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	85 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	3.5nC @ 4V
Vgs (Max)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	150pF @ 5V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	1.25W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	SOT-23-3 (TO-236)
Paquet / caisse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MVSF2N02ELT1G Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	MVSF2N02ELT1G-FT

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