maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / NSVMMUN2235LT1G
Référence fabricant | NSVMMUN2235LT1G |
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Numéro de pièce future | FT-NSVMMUN2235LT1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
NSVMMUN2235LT1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 47 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | - |
Puissance - Max | 246mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 (TO-236) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVMMUN2235LT1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NSVMMUN2235LT1G-FT |
UNR421L00A
Panasonic Electronic Components
UNR422100A
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UNRF2A300A
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XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
APA450-FGG484
Microsemi Corporation
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EP4CGX30CF23I7N
Intel
10CX105YU484I6G
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5SGXEB9R1H43C2N
Intel
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Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel