maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / UNR412200A
Référence fabricant | UNR412200A |
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Numéro de pièce future | FT-UNR412200A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
UNR412200A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | PNP - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 500mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 4.7 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 100mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 100mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1µA |
Fréquence - Transition | 200MHz |
Puissance - Max | 300mW |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 3-SSIP |
Package d'appareils du fournisseur | NS-A1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR412200A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | UNR412200A-FT |
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