maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / UNR422300A
Référence fabricant | UNR422300A |
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Numéro de pièce future | FT-UNR422300A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
UNR422300A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 500mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 10 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 10 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 100mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 100mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1µA |
Fréquence - Transition | 200MHz |
Puissance - Max | 300mW |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 3-SSIP |
Package d'appareils du fournisseur | NS-B1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR422300A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | UNR422300A-FT |
UNR521N00L
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UNR521T00L
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XCS30XL-5TQ144C
Xilinx Inc.
AT40K05AL-1DQI
Microchip Technology
EP3SE260H780C4LN
Intel
10M50DAF672C6G
Intel
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Xilinx Inc.
XC6VLX130T-1FF484C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144I
Microsemi Corporation
LFX125EB-03FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD3H2F35I2LN
Intel