maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / NM93C46LZN
Référence fabricant | NM93C46LZN |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-NM93C46LZN |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NM93C46LZN Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EEPROM |
La technologie | EEPROM |
Taille mémoire | 1Kb (64 x 16) |
Fréquence d'horloge | 250kHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ms |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-DIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NM93C46LZN Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NM93C46LZN-FT |
NAND02GW3B2DZA6E
Micron Technology Inc.
NAND08GAH0JZC5E
Micron Technology Inc.
NAND16GW3B6DPA6E
Micron Technology Inc.
NAND16GW3B6DPA6F TR
Micron Technology Inc.
NAND256R3A2BZA6E
Micron Technology Inc.
NAND256W3A0BE06
Micron Technology Inc.
NAND256W3A0BN6E
Micron Technology Inc.
NAND256W3A0BN6F TR
Micron Technology Inc.
NAND256W3A2BE06
Micron Technology Inc.
NAND256W3A2BN6F TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel