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Micron Technology Inc. NAND02GW3B2DZA6E

Name: NAND02GW3B2DZA6E
Brand: Micron Technology Inc.
SKU: NAND02GW3B2DZA6E
Availability: InStock
Rating: 4.8 (493 reviews)

Numéro de pièce MFG: NAND02GW3B2DZA6E

quantité disponible: 66630 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Micron Technology Inc.

Brève description: - IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Mémoire

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: NAND02GW3B2DZA6E.pdf

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NAND02GW3B2DZA6E Caractéristiques

Référence fabricant	NAND02GW3B2DZA6E
Numéro de pièce future	FT-NAND02GW3B2DZA6E
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
NAND02GW3B2DZA6E Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Discontinued at Future Semiconductor
Type de mémoire	Non-Volatile
Format de mémoire	FLASH
La technologie	FLASH - NAND
Taille mémoire	2Gb (256M x 8)
Fréquence d'horloge	-
Ecrire le temps de cycle - Word, Page	25ns
Temps d'accès	25ns
Interface mémoire	Parallel
Tension - Alimentation	2.7V ~ 3.6V
Température de fonctionnement	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	63-TFBGA
Package d'appareils du fournisseur	63-VFBGA (9.5x12)
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NAND02GW3B2DZA6E Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	NAND02GW3B2DZA6E-FT

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