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Référence fabricant | NAND16GW3B6DPA6E |
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Numéro de pièce future | FT-NAND16GW3B6DPA6E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NAND16GW3B6DPA6E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 16Gb (2G x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 25ns |
Temps d'accès | 25ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 114-LFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 114-LFBGA (12x16) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NAND16GW3B6DPA6E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NAND16GW3B6DPA6E-FT |
N25Q032A13EV7A0
Micron Technology Inc.
N25Q064A11E5340F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A11EF640E
Micron Technology Inc.
N25Q064A11EF640F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13E12D1E
Micron Technology Inc.
N25Q064A13E14D0E
Micron Technology Inc.
N25Q064A13E14D1E
Micron Technology Inc.
N25Q064A13E14D1F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13E5340F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EF640FN03 TR
Micron Technology Inc.
EP2C5T144C7
Intel
XCV600-6FG676C
Xilinx Inc.
EP4CGX110CF23I7N
Intel
10M04SFE144C8G
Intel
EP3SL110F1152I4LN
Intel
A42MX16-FPQ100
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230DF29C2X
Intel
EPF81500ARC240-3
Intel