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Référence fabricant | NAND01GW3A2AN6E |
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Numéro de pièce future | FT-NAND01GW3A2AN6E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NAND01GW3A2AN6E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 1Gb (128M x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 30ns |
Temps d'accès | 30ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 48-TSOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NAND01GW3A2AN6E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NAND01GW3A2AN6E-FT |
SFEM064GB1EA1TO-I-HG-111-E32
Swissbit
SFEM064GB1EA1TO-I-HG-111-STD
Swissbit
SFEM4096B1EA1TO-I-GE-111-E02
Swissbit
M48Z58Y-70MH1F
STMicroelectronics
M48Z35Y-70MH1F
STMicroelectronics
M48Z35AV-10MH1E
STMicroelectronics
M48Z35AV-10MH6F
STMicroelectronics
M48Z35Y-70MH1E
STMicroelectronics
M48Z35Y-70MH6E
STMicroelectronics
M48Z58Y-70MH1E
STMicroelectronics
XA2S200E-6FT256Q
Xilinx Inc.
APA450-FG484
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-6900C-5BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40C2L
Intel
10CL025YE144I7G
Intel
XC7VX690T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5AGXBB5D4F35C5N
Intel
EP3SL150F780C2N
Intel
EPF10K200SBC356-3
Intel