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Référence fabricant | SFEM4096B1EA1TO-I-GE-111-E02 |
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Numéro de pièce future | FT-SFEM4096B1EA1TO-I-GE-111-E02 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | EM-26 |
SFEM4096B1EA1TO-I-GE-111-E02 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND (pSLC) |
Taille mémoire | 16Gb (2G x 8) |
Fréquence d'horloge | 400MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | eMMC |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 153-LFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 153-LFBGA (11.5x13) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SFEM4096B1EA1TO-I-GE-111-E02 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SFEM4096B1EA1TO-I-GE-111-E02-FT |
W632GU6MB-12 TR
Winbond Electronics
W632GU6MB-15
Winbond Electronics
W632GU6MB-15 TR
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W632GU6MB11I
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W632GU6MB12I
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W632GU6MB12I TR
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W632GU6MB15I
Winbond Electronics
W632GU6MB15I TR
Winbond Electronics
TH58NVG5S0FTA20
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG0S3HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
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EPF8636AQC208-3
Intel