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Référence fabricant | W632GU6MB-12 TR |
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Numéro de pièce future | FT-W632GU6MB-12 TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
W632GU6MB-12 TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR3 |
Taille mémoire | 2Gb (128M x 16) |
Fréquence d'horloge | 800MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 20ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.283V ~ 1.45V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 95°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 96-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 96-VFBGA (7.5x13) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W632GU6MB-12 TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | W632GU6MB-12 TR-FT |
LE24L042CS-LV-TFM-E
ON Semiconductor
W9751G6KB-25
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W9725G6KB-25
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W9725G6KB-25 TR
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XA2S200E-6FT256Q
Xilinx Inc.
APA450-FG484
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APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-6900C-5BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40C2L
Intel
10CL025YE144I7G
Intel
XC7VX690T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5AGXBB5D4F35C5N
Intel
EP3SL150F780C2N
Intel
EPF10K200SBC356-3
Intel