maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / M48Z58Y-70MH1E
Référence fabricant | M48Z58Y-70MH1E |
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Numéro de pièce future | FT-M48Z58Y-70MH1E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
M48Z58Y-70MH1E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | NVSRAM |
La technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Taille mémoire | 64Kb (8K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 70ns |
Temps d'accès | 70ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 28-SOP (0.350", 8.89mm Width) with SNAPHAT Sockets |
Package d'appareils du fournisseur | 28-SOH |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M48Z58Y-70MH1E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | M48Z58Y-70MH1E-FT |
W632GU6MB15I TR
Winbond Electronics
TH58NVG5S0FTA20
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG0S3HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NVG2S3HTA00
Toshiba Memory America, Inc.
TH58BVG2S3HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NVG3S0HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG0S3HTA00
Toshiba Memory America, Inc.
TH58BVG3S0HTA00
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BVG1S3HTA00
Toshiba Memory America, Inc.
TH58BVG2S3HTA00
Toshiba Memory America, Inc.
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
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A3PE3000-2FGG484I
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A3PN030-Z1QNG48I
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M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
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EPF10K30EFC256-3
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Lattice Semiconductor Corporation
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