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Référence fabricant | TH58BVG2S3HTA00 |
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Numéro de pièce future | FT-TH58BVG2S3HTA00 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Benand™ |
TH58BVG2S3HTA00 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND (SLC) |
Taille mémoire | 4Gb (512M x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 25ns |
Temps d'accès | 25ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 48-TSOP I |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TH58BVG2S3HTA00 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TH58BVG2S3HTA00-FT |
W971GG6KB-25 TR
Winbond Electronics
W971GG6KB25I
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W971GG6KB25I TR
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W971GG6SB-18 TR
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W971GG6SB-25 TR
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W9725G6IB-25
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W9725G6JB25I
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W9725G6KB-18
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W9725G6KB-18 TR
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XC6SLX150T-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V1500-4BGG575C
Xilinx Inc.
AX500-FGG676
Microsemi Corporation
LFX200EB-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F31C8N
Intel
EP20K1000EBI652-2X
Intel