maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / N25Q512A83GSFA0F TR
Référence fabricant | N25Q512A83GSFA0F TR |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-N25Q512A83GSFA0F TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
N25Q512A83GSFA0F TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 512Mb (128M x 4) |
Fréquence d'horloge | 108MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 8ms, 5ms |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
N25Q512A83GSFA0F TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | N25Q512A83GSFA0F TR-FT |
N25Q008A11ESC40F TR
Micron Technology Inc.
N25Q008A11ESC40FS01 TR
Micron Technology Inc.
N25Q008A11ESC40FS02 TR
Micron Technology Inc.
N25Q008A11ESC40FS03 TR
Micron Technology Inc.
N25Q008A11ESC40G
Micron Technology Inc.
N25Q00AA13G1240F TR
Micron Technology Inc.
N25Q00AA13G1241E
Micron Technology Inc.
N25Q00AA13G1241F TR
Micron Technology Inc.
N25Q016A11EF640E
Micron Technology Inc.
N25Q016A11EF640F TR
Micron Technology Inc.
A1020B-PQ100C
Microsemi Corporation
XCV300E-6FG256I
Xilinx Inc.
LFE2-12SE-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX02-1PLG68M
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-7FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-4Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70SE-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LM2K-CM49TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-30E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S60F1020I4
Intel