maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / N25Q016A11EF640E
Référence fabricant | N25Q016A11EF640E |
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Numéro de pièce future | FT-N25Q016A11EF640E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
N25Q016A11EF640E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 16Mb (2M x 8) |
Fréquence d'horloge | 108MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 8ms, 1ms |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 2V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-VDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | 8-DFN (5x6) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
N25Q016A11EF640E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | N25Q016A11EF640E-FT |
MTFC64GAJAEDN-AAT
Micron Technology Inc.
MTFC64GAJAEDN-AAT TR
Micron Technology Inc.
MTFC64GAKAEEY-3M WT
Micron Technology Inc.
MTFC64GAKAEEY-3M WT TR
Micron Technology Inc.
MTFC64GAKAEEY-4M IT
Micron Technology Inc.
MTFC64GANALAM-WT
Micron Technology Inc.
MTFC64GANALAM-WT ES
Micron Technology Inc.
MTFC64GANALAM-WT ES TR
Micron Technology Inc.
MTFC64GANALAM-WT TR
Micron Technology Inc.
MTFC64GAOAMEA-WT ES
Micron Technology Inc.
A54SX32A-TQG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E6G
Intel
5SGXEA9N3F45I4N
Intel
LFEC33E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34E2SG
Intel
EP3SE50F780C4
Intel