maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / N25Q008A11ESC40FS02 TR
Référence fabricant | N25Q008A11ESC40FS02 TR |
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Numéro de pièce future | FT-N25Q008A11ESC40FS02 TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
N25Q008A11ESC40FS02 TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 8Mb (1M x 8) |
Fréquence d'horloge | 108MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 8ms, 5ms |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 2V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
N25Q008A11ESC40FS02 TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | N25Q008A11ESC40FS02 TR-FT |
MTFC4GMDEA-4M IT TR
Micron Technology Inc.
MTFC4GMDEA-R1 IT
Micron Technology Inc.
MTFC4GMDEA-R1 IT TR
Micron Technology Inc.
MTFC64GAJAECE-5M AIT
Micron Technology Inc.
MTFC64GAJAECE-5M AIT TR
Micron Technology Inc.
MTFC64GAJAEDN-5M AIT
Micron Technology Inc.
MTFC64GAJAEDN-AAT
Micron Technology Inc.
MTFC64GAJAEDN-AAT TR
Micron Technology Inc.
MTFC64GAKAEEY-3M WT
Micron Technology Inc.
MTFC64GAKAEEY-3M WT TR
Micron Technology Inc.
XC3S1000-4FGG320I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FG484I
Microsemi Corporation
M2GL050TS-1FG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N3F40C4N
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EP2AGZ350FH29I4N
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5SGSED6N1F45I2N
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XC5VFX130T-1FFG1738I
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XC7VX485T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
EPF10K70RC240-3N
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5AGZME1H3F35C4N
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