maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / MWI50-12A7T
Référence fabricant | MWI50-12A7T |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MWI50-12A7T |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MWI50-12A7T Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | NPT |
Configuration | Three Phase Inverter |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 85A |
Puissance - Max | 350W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 50A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 4mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 3.3nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | Yes |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | E2 |
Package d'appareils du fournisseur | E2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MWI50-12A7T Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MWI50-12A7T-FT |
DDB6U180N16RRB37BOSA1
Infineon Technologies
FD600R17KE3KB5NOSA1
Infineon Technologies
FF1200R12KE3NOSA1
Infineon Technologies
FF1200R17KE3NOSA1
Infineon Technologies
FF300R07ME4B11BOSA1
Infineon Technologies
FF300R12MS4BOSA1
Infineon Technologies
FF450R07ME4B11BOSA1
Infineon Technologies
FF600R07ME4B11BOSA1
Infineon Technologies
FF600R12ME4B73BPSA1
Infineon Technologies
FF600R17KE3NOSA1
Infineon Technologies
LCMXO2-256HC-4TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGLE3000V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-2FG256I
Microsemi Corporation
EPF10K250EFI672-3
Intel
5SGXMA3E2H29C3N
Intel
EP3SL110F1152I4LN
Intel
XA7A35T-1CSG324Q
Xilinx Inc.
5CEFA7U19C6N
Intel
5CEFA7F31C7N
Intel
10AX066K2F40I2LG
Intel