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Référence fabricant | FF300R07ME4B11BOSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-FF300R07ME4B11BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FF300R07ME4B11BOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Configuration | 2 Independent |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 650V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 390A |
Puissance - Max | 1100W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 300A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 18.5nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | Yes |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FF300R07ME4B11BOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FF300R07ME4B11BOSA1-FT |
APTGT150DH120G
Microsemi Corporation
APTGT150DH170G
Microsemi Corporation
APTGT150DH60TG
Microsemi Corporation
APTGT150H120G
Microsemi Corporation
APTGT150H170G
Microsemi Corporation
APTGT150H60TG
Microsemi Corporation
APTGT150SK170G
Microsemi Corporation
APTGT150SK60T1G
Microsemi Corporation
APTGT150TA60PG
Microsemi Corporation
APTGT150TDU60PG
Microsemi Corporation
EX64-TQ64A
Microsemi Corporation
EPF8820ATC144-2N
Intel
LFE2-12SE-6T144C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7K3F40I3LN
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5SGXMA7N2F45C3N
Intel
XC7VX690T-2FFG1158I
Xilinx Inc.
XC7V585T-2FFG1761C
Xilinx Inc.
M2GL060-1FGG676
Microsemi Corporation
5AGXFA5H4F35C5N
Intel