maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / MWI25-12A7T
Référence fabricant | MWI25-12A7T |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MWI25-12A7T |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MWI25-12A7T Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | NPT |
Configuration | Three Phase Inverter |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 50A |
Puissance - Max | 225W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 25A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 2mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 1.65nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | Yes |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | E2 |
Package d'appareils du fournisseur | E2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MWI25-12A7T Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MWI25-12A7T-FT |
APTGTQ200A65T3G
Microsemi Corporation
APTGTQ200DA65T3G
Microsemi Corporation
APTGTQ200SK65T3G
Microsemi Corporation
APTGTQ50TA65T3G
Microsemi Corporation
DDB6U180N16RRB37BOSA1
Infineon Technologies
FD600R17KE3KB5NOSA1
Infineon Technologies
FF1200R12KE3NOSA1
Infineon Technologies
FF1200R17KE3NOSA1
Infineon Technologies
FF300R07ME4B11BOSA1
Infineon Technologies
FF300R12MS4BOSA1
Infineon Technologies
XCV300E-6FG256C
Xilinx Inc.
XC7S6-1FTGB196I
Xilinx Inc.
AFS250-1FG256
Microsemi Corporation
A3PE1500-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C25U256C6
Intel
5AGXBA7D4F27C5N
Intel
5SGXEA7K2F35I2L
Intel
AX1000-2FGG676
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000UHC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX30CF19C6N
Intel