maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / MWI15-12A7
Référence fabricant | MWI15-12A7 |
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Numéro de pièce future | FT-MWI15-12A7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MWI15-12A7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | NPT |
Configuration | Three Phase Inverter |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 30A |
Puissance - Max | 140W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.6V @ 15V, 15A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 900µA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 1nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | E2 |
Package d'appareils du fournisseur | E2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MWI15-12A7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MWI15-12A7-FT |
APTGTQ100DDA65T3G
Microsemi Corporation
APTGTQ100H65T3G
Microsemi Corporation
APTGTQ100SK65T1G
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APTGTQ150TA65TPG
Microsemi Corporation
APTGTQ200A65T3G
Microsemi Corporation
APTGTQ200DA65T3G
Microsemi Corporation
APTGTQ200SK65T3G
Microsemi Corporation
APTGTQ50TA65T3G
Microsemi Corporation
DDB6U180N16RRB37BOSA1
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FD600R17KE3KB5NOSA1
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XC6SLX9-2FTG256C
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M1A3P250-VQ100
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10AX022E4F27E3LG
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XC2VP30-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A100T-L1CSG324I
Xilinx Inc.
XA7A15T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
A42MX09-2PQ100I
Microsemi Corporation
LFEC3E-3QN208C
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5AGXFA5H4F35I3N
Intel
10AX016E4F27E3SG
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