maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / MWI100-12T8T
Référence fabricant | MWI100-12T8T |
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Numéro de pièce future | FT-MWI100-12T8T |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MWI100-12T8T Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Trench |
Configuration | Three Phase Inverter |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 145A |
Puissance - Max | 480W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 100A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 4mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 7.21nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | Yes |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | E3 |
Package d'appareils du fournisseur | E3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MWI100-12T8T Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MWI100-12T8T-FT |
APTGTQ100DA65T1G
Microsemi Corporation
APTGTQ100DDA65T3G
Microsemi Corporation
APTGTQ100H65T3G
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APTGTQ200A65T3G
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APTGTQ200DA65T3G
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APTGTQ200SK65T3G
Microsemi Corporation
APTGTQ50TA65T3G
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DDB6U180N16RRB37BOSA1
Infineon Technologies
A1425A-1PQG100I
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XC7S100-L1FGGA676I
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A3P125-PQG208I
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MPF500T-FCG1152E
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