maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MURTA600120R
Référence fabricant | MURTA600120R |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MURTA600120R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MURTA600120R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Anode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 300A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 2.6V @ 300A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 25µA @ 1200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Three Tower |
Package d'appareils du fournisseur | Three Tower |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURTA600120R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MURTA600120R-FT |
MSRT100160(A)D
GeneSiC Semiconductor
MSRT10060(A)D
GeneSiC Semiconductor
MSRT10080(A)D
GeneSiC Semiconductor
MSRT150100(A)D
GeneSiC Semiconductor
MSRT150120(A)D
GeneSiC Semiconductor
MSRT150140(A)D
GeneSiC Semiconductor
MSRT150160(A)D
GeneSiC Semiconductor
MSRT15060(A)D
GeneSiC Semiconductor
MSRT15080(A)D
GeneSiC Semiconductor
MSRT200100(A)D
GeneSiC Semiconductor
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
A3P600L-FG484
Microsemi Corporation
5SGXEB9R2H43C2L
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC4044XL-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC7A200T-2SBG484I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-6LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB1D4F31C5N
Intel
EP4CE55F29I8L
Intel
EPF10K200SRC240-1N
Intel