maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MSRT10060(A)D
Référence fabricant | MSRT10060(A)D |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MSRT10060(A)D |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MSRT10060(A)D Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Series Connection |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 100A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 100A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 600V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Three Tower |
Package d'appareils du fournisseur | Three Tower |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSRT10060(A)D Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MSRT10060(A)D-FT |
MBRT12060
GeneSiC Semiconductor
MBRT12060R
GeneSiC Semiconductor
MBRT12080
GeneSiC Semiconductor
MBRT12080R
GeneSiC Semiconductor
MBRT200100R
GeneSiC Semiconductor
MBRT200150
GeneSiC Semiconductor
MBRT200150R
GeneSiC Semiconductor
MBRT20020
GeneSiC Semiconductor
MBRT200200
GeneSiC Semiconductor
MBRT200200R
GeneSiC Semiconductor
XC7S6-1FTGB196I
Xilinx Inc.
AX250-1FG256I
Microsemi Corporation
APA750-PQG208
Microsemi Corporation
A3PN030-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP3C16F256C6
Intel
5SGXEA7N3F40C4N
Intel
XC7VX415T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
LFEC6E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400C8
Intel
EP2AGZ300FF35C4N
Intel