maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MBRT200200
Référence fabricant | MBRT200200 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MBRT200200 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBRT200200 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 100A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 920mV @ 100A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1mA @ 200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Three Tower |
Package d'appareils du fournisseur | Three Tower |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRT200200 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBRT200200-FT |
FST12040
GeneSiC Semiconductor
FST12045
GeneSiC Semiconductor
FST12060
GeneSiC Semiconductor
FST12080
GeneSiC Semiconductor
FST160100
GeneSiC Semiconductor
FST160150
GeneSiC Semiconductor
FST16020
GeneSiC Semiconductor
FST160200
GeneSiC Semiconductor
FST16030
GeneSiC Semiconductor
FST16040
GeneSiC Semiconductor
LFEC1E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP4-5FG256I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
APA600-CQ352M
Microsemi Corporation
5SGXEA7K1F40C2L
Intel
5SGXMA9N1F45C2N
Intel
5SEE9H40I3N
Intel
XC6VLX240T-1FFG784I
Xilinx Inc.
A42MX24-2PLG84I
Microsemi Corporation
EP20K30EQC208-1
Intel