maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MSRT10080(A)D
Référence fabricant | MSRT10080(A)D |
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Numéro de pièce future | FT-MSRT10080(A)D |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MSRT10080(A)D Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Series Connection |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 100A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 100A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 800V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Three Tower |
Package d'appareils du fournisseur | Three Tower |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSRT10080(A)D Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MSRT10080(A)D-FT |
MBRT12060R
GeneSiC Semiconductor
MBRT12080
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XC3S1500-4FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FG484
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A3PE1500-2PQ208I
Microsemi Corporation
EPF6010ATC100-1
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EPF10K50SFC256-2X
Intel
10CX105YF672E6G
Intel
XC7VX415T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
A42MX16-TQG176I
Microsemi Corporation
LFE3-95EA-6LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S130F1508I5
Intel