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Référence fabricant | MURS120-M3/52T |
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Numéro de pièce future | FT-MURS120-M3/52T |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MURS120-M3/52T Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 875mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 2µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AA, SMB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AA (SMB) |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURS120-M3/52T Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MURS120-M3/52T-FT |
VS-10BQ040HM3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10BQ060-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10BQ060HM3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10BQ100-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10BQ100HM3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-2EGH02HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-3EGH06-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-3EGU06-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-3EGU06WHM3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-4EGH06-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel