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Référence fabricant | VS-3EGU06WHM3/5BT |
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Numéro de pièce future | FT-VS-3EGU06WHM3/5BT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, FRED Pt® |
VS-3EGU06WHM3/5BT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.35V @ 3A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 65ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 3µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AA, SMB |
Package d'appareils du fournisseur | SMB (DO-214AA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-3EGU06WHM3/5BT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-3EGU06WHM3/5BT-FT |
RS2JHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2K-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2K-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2K-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2KHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2KHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2A-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2A-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2A-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2AHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel