maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / VS-2EGH02HM3_A/I
Référence fabricant | VS-2EGH02HM3_A/I |
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Numéro de pièce future | FT-VS-2EGH02HM3_A/I |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, FRED Pt® |
VS-2EGH02HM3_A/I Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 900mV @ 2A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 25ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 2µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AA, SMB |
Package d'appareils du fournisseur | SMB (DO-214AA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-2EGH02HM3_A/I Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-2EGH02HM3_A/I-FT |
RS2J-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2J-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2JHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2JHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2K-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2K-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2K-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2KHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2KHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2A-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCS20XL-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC7S50-1FGGA484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-1FG144
Microsemi Corporation
AGLE600V5-FG256
Microsemi Corporation
ICE40HX4K-BG121
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000EFC672-1
Intel
EP3C25U256C7
Intel
5SGSMD5H2F35I2LN
Intel
A1020B-PL44C
Microsemi Corporation
LFE2M35E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation