maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MURF30060R
Référence fabricant | MURF30060R |
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Numéro de pièce future | FT-MURF30060R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MURF30060R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Anode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 150A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 150A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 150ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 25µA @ 600V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | TO-244AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-244 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURF30060R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MURF30060R-FT |
MDD600-22N1
IXYS
MDD710-22N2
IXYS
MDD950-12N1W
IXYS
MDD950-14N1W
IXYS
MDD950-16N1W
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MDD950-18N1W
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MDD950-20N1W
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MDD950-22N1W
IXYS
MDK600-12N1
IXYS
MDK600-14N1
IXYS
LFEC1E-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCS30XL-4PQ208I
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XC6SLX25-3FG484I
Xilinx Inc.
A3P030-1QNG48
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A3P1000-1FG256T
Microsemi Corporation
EP1S25F672C6
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5SGXMA5K3F35C3N
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10AX016E3F27I2LG
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