maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MURF30010
Référence fabricant | MURF30010 |
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Numéro de pièce future | FT-MURF30010 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MURF30010 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 150A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 150A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 25µA @ 100V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | TO-244AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-244 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURF30010 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MURF30010-FT |
MDA950-18N1W
IXYS
MDA950-20N1W
IXYS
MDA950-22N1W
IXYS
MDD600-12N1
IXYS
MDD600-16N1
IXYS
MDD600-18N1
IXYS
MDD600-20N1
IXYS
MDD600-22N1
IXYS
MDD710-22N2
IXYS
MDD950-12N1W
IXYS
XC6SLX150T-3FGG676C
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40C3N
Intel
EP3SL200H780I3N
Intel
EP2AGX125DF25I3
Intel
5SGXEA9K2H40I3L
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel
EP1S30F780C8N
Intel