maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MURF30010R
Référence fabricant | MURF30010R |
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Numéro de pièce future | FT-MURF30010R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MURF30010R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Anode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 150A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 150A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 25µA @ 100V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | TO-244AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-244 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURF30010R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MURF30010R-FT |
MDA950-20N1W
IXYS
MDA950-22N1W
IXYS
MDD600-12N1
IXYS
MDD600-16N1
IXYS
MDD600-18N1
IXYS
MDD600-20N1
IXYS
MDD600-22N1
IXYS
MDD710-22N2
IXYS
MDD950-12N1W
IXYS
MDD950-14N1W
IXYS
XCV150-5FG256I
Xilinx Inc.
XC7A75T-1FGG676I
Xilinx Inc.
XC7A50T-1CSG325C
Xilinx Inc.
AGL400V5-FGG256I
Microsemi Corporation
AGLN250V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SEEBH40I3L
Intel
5SGXMA5H2F35I2LN
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LFEC3E-5QN208C
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LFE3-35EA-6LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA4U19C7N
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