maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MURF20020R
Référence fabricant | MURF20020R |
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Numéro de pièce future | FT-MURF20020R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MURF20020R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Anode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 200A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 100A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 75ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 25µA @ 50V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | TO-244AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-244 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURF20020R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MURF20020R-FT |
MDA950-12N1W
IXYS
MDA950-14N1W
IXYS
MDA950-16N1W
IXYS
MDA950-18N1W
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MDA950-20N1W
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MDA950-22N1W
IXYS
MDD600-12N1
IXYS
MDD600-16N1
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MDD600-18N1
IXYS
MDD600-20N1
IXYS
AX1000-FGG484
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA7N3F40I3LN
Intel
5SGXMB6R1F40I2N
Intel
EP2AGX95DF25C4N
Intel
EP4SGX530KH40C4N
Intel
XC5VLX50T-1FFG1136C
Xilinx Inc.
LFXP2-5E-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F45I2SGE2
Intel
EP1S10F780C5
Intel