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Référence fabricant | MDA950-12N1W |
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Numéro de pièce future | FT-MDA950-12N1W |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MDA950-12N1W Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Anode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 950A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 880mV @ 500A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 18µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50mA @ 1200V |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MDA950-12N1W Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MDA950-12N1W-FT |
MBR30040CTL
GeneSiC Semiconductor
MBR30040CTRL
GeneSiC Semiconductor
MBR30045CTRL
GeneSiC Semiconductor
MBR30H100CT81E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR30H100CTF-E1
Diodes Incorporated
MBR30H100CTH
ON Semiconductor
MBR30H30CTH
ON Semiconductor
MBR30H35CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR4015CTLH
ON Semiconductor
MBR40L45CTH
ON Semiconductor
XC2V80-5FGG256C
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XC6VLX130T-3FFG484C
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Microsemi Corporation
EP3CLS70U484C8N
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5SGSMD4K3F40I3L
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EP2AGX95EF35C6N
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