maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MURF10020
Référence fabricant | MURF10020 |
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Numéro de pièce future | FT-MURF10020 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MURF10020 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 100A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 50A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 75ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 25µA @ 50V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | TO-244AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-244 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURF10020 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MURF10020-FT |
MDA600-12N1
IXYS
MDA600-14N1
IXYS
MDA600-16N1
IXYS
MDA600-18N1
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MDA95-22N1B
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MDA950-12N1W
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MDA950-14N1W
IXYS
MDA950-16N1W
IXYS
XC6SLX45-2CSG484I
Xilinx Inc.
LFE2-12E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-2PLG68
Microsemi Corporation
A3P030-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
5SGSMD4E2H29C2L
Intel
5SGXMA7K2F35I3LN
Intel
A1010B-2PL44C
Microsemi Corporation
LFEC15E-4FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD3H2F35C3N
Intel