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Référence fabricant | MDA600-18N1 |
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Numéro de pièce future | FT-MDA600-18N1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MDA600-18N1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Anode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 883A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 880mV @ 500A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 18µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50mA @ 1800V |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MDA600-18N1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MDA600-18N1-FT |
MBR2535CTH
ON Semiconductor
MBR2545CTH
ON Semiconductor
MBR2550CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR2550CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR30040CTL
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MBR30040CTRL
GeneSiC Semiconductor
MBR30045CTRL
GeneSiC Semiconductor
MBR30H100CT81E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR30H100CTF-E1
Diodes Incorporated
MBR30H100CTH
ON Semiconductor
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
XC6VLX130T-2FFG484C
Xilinx Inc.
A3PE3000-FGG484I
Microsemi Corporation
LIF-MD6000-6UWG36ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CF672C7GZ
Intel
EP3C120F484I7
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5SGXEA4K3F40C2LN
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5SGXMA3E3H29I3LN
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10M02DCV36I7G
Intel