maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MURF10020R
Référence fabricant | MURF10020R |
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Numéro de pièce future | FT-MURF10020R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MURF10020R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Anode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 100A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 50A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 75ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 25µA @ 50V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | TO-244AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-244 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURF10020R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MURF10020R-FT |
MDA600-14N1
IXYS
MDA600-16N1
IXYS
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A40MX02-3VQ80
Microsemi Corporation
LFE2-12SE-7TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC3E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV1600E-6FG900I
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484I
Microsemi Corporation
AX125-1FG256I
Microsemi Corporation
EP20K400EFI672-3
Intel
EPF10K200EFC672-2
Intel
LFE2-20E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400I7N
Intel