maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MURB1620CTRT4
Référence fabricant | MURB1620CTRT4 |
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Numéro de pièce future | FT-MURB1620CTRT4 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SWITCHMODE™ |
MURB1620CTRT4 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Anode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 85ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURB1620CTRT4 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MURB1620CTRT4-FT |
MSRD620CTT4G
ON Semiconductor
NRVBD640VCTT4G
ON Semiconductor
SNRVBD660CTT4G
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MBRD660CTRLG
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MBRD1035CTLG
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MBRD1035CTLT4G
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NRVSRD620VCTT4RG
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NRVSRD620VCTT4G
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SNRVUD620CTT4G
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XC3S1400A-4FGG676C
Xilinx Inc.
AGLN060V2-CSG81
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APA600-BG456I
Microsemi Corporation
5SGXEA7H3F35I3LN
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EP4SE820H35C3N
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XC5VLX110-2FFG1153I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
EP1S20F780C5N
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EP1S30F780C5N
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