maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / NRVBD640VCTT4G
Référence fabricant | NRVBD640VCTT4G |
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Numéro de pièce future | FT-NRVBD640VCTT4G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SWITCHMODE™ |
NRVBD640VCTT4G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 40V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 700mV @ 3A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 40V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Package d'appareils du fournisseur | DPAK |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NRVBD640VCTT4G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NRVBD640VCTT4G-FT |
MBD54DWT1G
ON Semiconductor
SHN2D02FUTW1T1G
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HN2D02FUTW1T1G
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HN2D02FUTW1T1
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NSR15DW1T1
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NSR15DW1T1G
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NSR15SDW1T1G
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XC6SLX45-2CSG484I
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5SGSMD3H2F35C3N
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