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Référence fabricant | SNRVBD660CTT4G |
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Numéro de pièce future | FT-SNRVBD660CTT4G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SWITCHMODE™ |
SNRVBD660CTT4G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 60V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 700mV @ 3A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 60V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Package d'appareils du fournisseur | DPAK |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SNRVBD660CTT4G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SNRVBD660CTT4G-FT |
SHN2D02FUTW1T1G
ON Semiconductor
HN2D02FUTW1T1G
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HN2D02FUTW1T1
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5SGXMA7H3F35C2LN
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XC7VX415T-1FF1157I
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XC6VLX195T-3FFG784C
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LFE3-150EA-7LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFD3H3F35I3N
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