maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / MUN5113T3G
Référence fabricant | MUN5113T3G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MUN5113T3G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MUN5113T3G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 47 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 47 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | - |
Puissance - Max | 202mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-70, SOT-323 |
Package d'appareils du fournisseur | SC-70-3 (SOT323) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUN5113T3G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MUN5113T3G-FT |
MUN2233T1
ON Semiconductor
MUN2236T1
ON Semiconductor
MUN2241T1
ON Semiconductor
NSBA143ZF3T5G
ON Semiconductor
NSBC115TF3T5G
ON Semiconductor
NSBA113EF3T5G
ON Semiconductor
NSBA114EF3T5G
ON Semiconductor
NSBC114TF3T5G
ON Semiconductor
NSBC143EF3T5G
ON Semiconductor
NSBA144EF3T5G
ON Semiconductor
A3P030-1QNG68
Microsemi Corporation
M2GL050S-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE2-70E-5F900I
Lattice Semiconductor Corporation
10M50DAF256C6GES
Intel
5SGSMD4K3F40I3N
Intel
XC7VX415T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-640ZE-2MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EQC240-1N
Intel