maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / NSBA113EF3T5G
Référence fabricant | NSBA113EF3T5G |
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Numéro de pièce future | FT-NSBA113EF3T5G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NSBA113EF3T5G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 1 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 1 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 3 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | - |
Puissance - Max | 254mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-1123 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-1123 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSBA113EF3T5G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NSBA113EF3T5G-FT |
MUN2211T1G
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MMUN2133LT1G
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