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Référence fabricant | MTA4ATF25664HZ-2G6B1 |
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Numéro de pièce future | FT-MTA4ATF25664HZ-2G6B1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MTA4ATF25664HZ-2G6B1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR4 |
Taille mémoire | 16Gb (256M x 64) |
Fréquence d'horloge | 1333MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.2V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 95°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MTA4ATF25664HZ-2G6B1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MTA4ATF25664HZ-2G6B1-FT |
MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D8HR-053 WT:B
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D8TZ-053 WT:B
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D8TZ-053 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53D6DABE-DC
Micron Technology Inc.
MT53D768M32D2DS-046 WT ES:A
Micron Technology Inc.
MT53D768M32D2DS-046 WT ES:A TR
Micron Technology Inc.
MT53D768M32D4BD-053 WT ES:C
Micron Technology Inc.
A1010B-VQG80C
Microsemi Corporation
XC3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XC3S5000-5FGG900C
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
A40MX02-PL68
Microsemi Corporation
EP3SL150F1152I4
Intel
XC4010E-3PC84I
Xilinx Inc.
XC2VP50-7FFG1152C
Xilinx Inc.
EP1C20F324C6
Intel