maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B TR
Référence fabricant | MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B TR |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Taille mémoire | 32Gb (512M x 64) |
Fréquence d'horloge | 1866MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | - |
Tension - Alimentation | 1.1V |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B TR-FT |
MT53D4DBKA-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53D4DBNW-DC
Micron Technology Inc.
MT53D4DBNY-DC
Micron Technology Inc.
MT53D4DBNZ-DC
Micron Technology Inc.
MT53D4DBNZ-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53D4DBSB-DC
Micron Technology Inc.
MT53D4DBSB-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53D4DCFL-DC
Micron Technology Inc.
MT53D4DCFL-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53D4DCNZ-DC
Micron Technology Inc.
XC3S1000-4FG676I
Xilinx Inc.
XC4036XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
A42MX36-1PQG240
Microsemi Corporation
5SGXEA4K1F40C2N
Intel
5CGXFC5F6M11I7N
Intel
XC7VX330T-1FFG1761I
Xilinx Inc.
XC7VX485T-3FFG1761E
Xilinx Inc.
XC7VX690T-2FF1927I
Xilinx Inc.
XC4VLX60-11FFG1148C
Xilinx Inc.
XA6SLX25-3CSG324Q
Xilinx Inc.