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Référence fabricant | MT53D4DBNY-DC |
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Numéro de pièce future | FT-MT53D4DBNY-DC |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT53D4DBNY-DC Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Taille mémoire | - |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | - |
Tension - Alimentation | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D4DBNY-DC Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT53D4DBNY-DC-FT |
MT53D2048M32D8QD-046 WT ES:D
Micron Technology Inc.
MT53D2048M32D8QD-046 WT ES:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D2048M32D8QD-053 WT ES:D
Micron Technology Inc.
MT53D2048M32D8QD-053 WT ES:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D2048M32D8QD-053 WT:D
Micron Technology Inc.
MT53D2048M32D8QD-053 WT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D2048M32D8QD-062 WT ES:D
Micron Technology Inc.
MT53D2048M32D8QD-062 WT ES:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D2048M32D8QD-062 WT:D
Micron Technology Inc.
MT53D2048M32D8QD-062 WT:D TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel