maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B
Référence fabricant | MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B |
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Numéro de pièce future | FT-MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Taille mémoire | 32Gb (512M x 64) |
Fréquence d'horloge | 1866MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | - |
Tension - Alimentation | 1.1V |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B-FT |
MT53D4DBNY-DC
Micron Technology Inc.
MT53D4DBNZ-DC
Micron Technology Inc.
MT53D4DBNZ-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53D4DBSB-DC
Micron Technology Inc.
MT53D4DBSB-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53D4DCFL-DC
Micron Technology Inc.
MT53D4DCFL-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53D4DCNZ-DC
Micron Technology Inc.
MT53D4DCNZ-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53D4DCSB-DC
Micron Technology Inc.
EPF8820ATC144-3
Intel
M2GL025T-1FG484
Microsemi Corporation
5SGXEB6R2F43C2L
Intel
EP4SE360F35C4
Intel
XC5VLX50T-3FF1136C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FFG901C
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQ100I
Microsemi Corporation
A40MX04-PQ100M
Microsemi Corporation
EP3CLS100F780I7
Intel
EP1S25F1020I6N
Intel