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Référence fabricant | MT61M256M32JE-12 AAT:A |
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Numéro de pièce future | FT-MT61M256M32JE-12 AAT:A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT61M256M32JE-12 AAT:A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | RAM |
La technologie | SGRAM - GDDR6 |
Taille mémoire | 8Gb (256M x 32) |
Fréquence d'horloge | 1.5GHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.21V ~ 1.29V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 180-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 180-FBGA (12x14) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT61M256M32JE-12 AAT:A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT61M256M32JE-12 AAT:A-FT |
MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4SB-046 XT:D
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4SB-046 XT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
XC7A50T-2FG484I
Xilinx Inc.
XC4028XL-2BG256I
Xilinx Inc.
A42MX09-1TQG176M
Microsemi Corporation
M1A3P400-FGG144
Microsemi Corporation
LFEC6E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C7
Intel
EP4CE55F29I8L
Intel
EP20K600CB652C8
Intel