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Référence fabricant | MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E |
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Numéro de pièce future | FT-MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Taille mémoire | 32Gb (512M x 64) |
Fréquence d'horloge | 1866MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | - |
Tension - Alimentation | 1.1V |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E-FT |
MT53D4DASB-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53D4DAWT-DC
Micron Technology Inc.
MT53D4DBBD-DC
Micron Technology Inc.
MT53D4DBBP-DC
Micron Technology Inc.
MT53D4DBBP-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53D4DBFL-DC
Micron Technology Inc.
MT53D4DBKA-DC
Micron Technology Inc.
MT53D4DBKA-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53D4DBNW-DC
Micron Technology Inc.
MT53D4DBNY-DC
Micron Technology Inc.
A1020B-PQ100C
Microsemi Corporation
XCV300E-6FG256I
Xilinx Inc.
LFE2-12SE-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX02-1PLG68M
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-7FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-4Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70SE-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LM2K-CM49TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-30E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S60F1020I4
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