maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT58K256M321JA-100:A
Référence fabricant | MT58K256M321JA-100:A |
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Numéro de pièce future | FT-MT58K256M321JA-100:A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT58K256M321JA-100:A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SGRAM - GDDR5 |
Taille mémoire | 8Gb (256M x 32) |
Fréquence d'horloge | 5GHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | - |
Tension - Alimentation | 1.31V ~ 1.39V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 95°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 190-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 190-FBGA (10x14) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT58K256M321JA-100:A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT58K256M321JA-100:A-FT |
MT53D512M64D4NY-046 XT ES:D
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4NZ-053 WT ES:D
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4NZ-053 WT ES:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E
Micron Technology Inc.
XC3S1000-4FG676I
Xilinx Inc.
XC4036XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
A42MX36-1PQG240
Microsemi Corporation
5SGXEA4K1F40C2N
Intel
5CGXFC5F6M11I7N
Intel
XC7VX330T-1FFG1761I
Xilinx Inc.
XC7VX485T-3FFG1761E
Xilinx Inc.
XC7VX690T-2FF1927I
Xilinx Inc.
XC4VLX60-11FFG1148C
Xilinx Inc.
XA6SLX25-3CSG324Q
Xilinx Inc.