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Micron Technology Inc. MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E

Name: MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E
Brand: Micron Technology Inc.
SKU: MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E
Availability: InStock
Rating: 4.9 (29 reviews)

Numéro de pièce MFG: MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E

quantité disponible: 85480 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Micron Technology Inc.

Brève description: - IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Mémoire

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E.pdf

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MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E Caractéristiques

Référence fabricant	MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E
Numéro de pièce future	FT-MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de mémoire	Volatile
Format de mémoire	DRAM
La technologie	SDRAM - Mobile LPDDR4
Taille mémoire	32Gb (512M x 64)
Fréquence d'horloge	2133MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page	-
Temps d'accès	-
Interface mémoire	-
Tension - Alimentation	1.1V
Température de fonctionnement	-30°C ~ 105°C (TC)
Type de montage	-
Paquet / caisse	-
Package d'appareils du fournisseur	-
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E-FT

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