maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT53D4DANY-DC TR
Référence fabricant | MT53D4DANY-DC TR |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MT53D4DANY-DC TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT53D4DANY-DC TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Taille mémoire | - |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | - |
Tension - Alimentation | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D4DANY-DC TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT53D4DANY-DC TR-FT |
MT53D1G64D8NW-046 WT ES:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D1G64D8NW-053 WT ES:E
Micron Technology Inc.
MT53D1G64D8NW-053 WT ES:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D1G64D8NW-062 WT ES:D
Micron Technology Inc.
MT53D1G64D8NW-062 WT ES:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D1G64D8NW-062 WT:D
Micron Technology Inc.
MT53D1G64D8NW-062 WT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E
Micron Technology Inc.
MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D1G64D8SQ-053 WT ES:E
Micron Technology Inc.
M2GL025-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1A3P600-PQG208
Microsemi Corporation
EP4SGX360KF43C3
Intel
XC7S15-1CPGA196C
Xilinx Inc.
A42MX16-3TQ176I
Microsemi Corporation
A54SX08A-FGG144
Microsemi Corporation
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
LFXP15C-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6SE-5F256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19C6N
Intel